最后是結合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。

rgbw集成光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功百率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的rgbw集成光源

圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產生的藍光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍光激發(fā)熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉化成熱，經過測量可知藍色樣品的光電轉換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍光轉換成熱量，相關參數參考表2。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量度的COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。

對于COB光源接下來的發(fā)展，首先是在確保產品性能的前提下，將規(guī)模提上去、價格降下來；其次是從小功率向中、大功率發(fā)展；最后是結合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。

rgbw集成光源COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進行接觸測量Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內受到越來越多的關注。COB封裝技術已在IC集成電路中應用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費者，光源采用COB封裝還是新穎的技術。

rgbw集成光源而另一項發(fā)明的倒裝結構LED，因其可以集成化、批量化生產，制備工藝簡單，性能優(yōu)良，逐漸得到了照明行業(yè)的廣泛重視rgbw集成光源COB光源是一種新技術封裝的LED發(fā)光器件，相對于傳統(tǒng)LED它有多種優(yōu)勢。COB光源是生產商將多個LED晶片直接固到基板上組合而成的單個發(fā)光模塊。因為COB光源使用的是多個LED晶片直接固在散熱基板上，它與傳統(tǒng)的LED封裝方式不同，因此這些LED晶片貼片封裝后占用的空間極小，且緊密組合的LED晶片能最大化的高效發(fā)光，所以當COB光源通電后看不出獨立的單個發(fā)光點而更像是一整塊發(fā)光板。。倒裝結構采用將芯片PN結直接與基板上的正負極共晶鍵合，沒有使用金線，而最大限度避免了光淬滅問題。在大功率LED使用過程中，不可避免大電流沖擊現象，在此情況下，如果燈具的大電流抗沖擊穩(wěn)定性不好，很容易降低燈具的使用壽命。